ACM-024（Cyclone IV GX）に搭載されているDDR2 SDRAMへALTMEMPHYを使用してアクセスする際、インプリメントに追加の制約が必要となります。
下記ではNiosに「DDR2 SDRAM Controller with ALTMEMPHY」コンポーネントを設定した場合をご紹介します。
環境：
Quartus II Version 11.0 SP2
DDR2 SDRAM Controller with ALTMEMPHY v11.0 (Build 208)
ALTMEMPHYが生成するTCLスクリプト
ALTMEMPHYを組み込んだNiosを生成すると、いくつかの制約追加用TCLファイルが追加されます。
その中から、「altmemddr_0_pin_assignments.tcl」を、QuartusIIで実行します。
制約の追加
Assignment Editorを開くと、TCLにより制約が追加されています。
DQピンとDMピンに「Output Enable Group」制約が付いていますので、DDR2へのクロックピンを、同じ制約グループに加えて下さい。
これでインプリメントできるようになります。
追加制約しない場合のエラー
下記のようなエラーとなります。ご参考まで。
Error: Cannot place pin mem_dq_to_and_from_the_altmemddr_0[6] to location W9
Error: Can't place VREF pin W10 (VREFGROUP_B3_N1) for pin mem_dq_to_and_from_the_altmemddr_0[6] of type bi-directional with SSTL-18 Class I I/O standard at location W9
Error: Too many output and bidirectional pins per VCCIO and ground pair in I/O bank 3 when the VREF pin W10 (VREFGROUP_B3_N1) is used on device EP4CGX50CF23C8 -- no more than 9 output/bidirectional pins within 12 consecutive pads are allowed when the voltage reference pins are driving in, but there are potentially 10 pins driving out
回路データについて
当社では、サンプル回路などのご提供は行っておりません。あしからずご了承くださいませ。
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[kw] 2012-02-22 ACM-024 CycloneIV DDR2SDRAM ALTMEMPHY QuartusII
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